IRF520N ТО-220АВ – MOSFET транзистор (до 9.2А)

IRF520 обладает хорошими предельными характеристиками и имеет достаточно большой запас прочности. В любом случае, не стоит превышать допустимых значений при использовании транзистора в своих проектах. Оптимальное использование транзистора для максимального срока службы – на значениях ниже рекомендуемых на 10-20%.

Основные характеристики IRF520N:

• максимальное напряжение сток-исток (VDS) — 100 В;
• сопротивление открытого канала RDS (ON) – 0.27 Ом;
• допустимый постоянный ток стока (ID):
  • при TC до +25ОС – 9.2 А;
  • при TC до +100ОС – 6.5 А;
• пиковый импульсный ток стока (IDM) – 37 А;
• отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) — ±20 В;
• рассеиваемая мощность (PD) до 60 Вт;
• температура хранения (TJ) от — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла (TC) до +175 °C.

• Широкий диапазон характеристик
• Высокое напряжение сток-исток
• Высокая мощность

• Импульсные блоки питания
• Источники бесперебойного питания
• Модули управления моторами